11月1日，俄罗斯科学院V.V.Marchenkov教授应邀到我院访问，并为我院师生做了题为“Synthesis and transport properties of topological insulators based on Bi2Se3”的学术报告。Marchenkov教授首先从自己所在的研究院讲起，给大家介绍了自己所在的实验室以及所研究范围。而后向大家介绍了拓扑绝缘子的相关特性，特别是基于Bi2Se3的拓扑绝缘子的合成与输运性质，现场气氛热烈，师生受益匪浅。

V.V.Marchenkov教授，1961年生，俄罗斯科学院金属物理研究所首席科学家，低温实验室主任，任俄罗斯科学院乌拉尔分院物理科学与技术科学委员会秘书长，“金属和金相物理”杂志编委，湖北省楚天学者讲席教授。主要研究领域包括纯金属在低温高磁场下的物理性质，具有高度自旋极化、巨磁卡和磁电阻效应的合金及金属间化合物的磁、电性质。首次在高磁场下实验证实纯金属中做螺旋运动的导电电子在与金属表面碰撞后改变原来传导方向的“skin effect”，并且晶界和位错也能产生类似“skin effect”。发现高纯金属中导电电子之间的散射可以改变电子的轨道类型，并可能影响单晶金属在高磁场下的电子输运性质。发表科技论文100余篇，专著3部，曾获俄罗斯国家科学基金委员会“最佳青年博士资助奖”，国际辐射对超纯金属及合金的破坏作用会议“最佳邀请报告奖”和莫斯科俄罗斯科学院物理科学部“最佳贡献奖”。